關(guān)鍵詞：CMP拋光液、濃度檢測、體積分?jǐn)?shù)、LEDLS技術(shù)、BeNano 180 Zeta Max

一、濃度檢測的工業(yè)意義

在半導(dǎo)體制造中，二氧化硅拋光液濃度直接影響CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）工藝質(zhì)量：

• 濃度過高：顆粒聚集風(fēng)險(xiǎn)↑，分散穩(wěn)定性↓，導(dǎo)致晶圓表面劃傷

• 濃度過低：膜層覆蓋不足，拋光效率↓
  傳統(tǒng)烘干稱重法耗時且無法實(shí)時監(jiān)控，亟需高效精準(zhǔn)的檢測方案。

二、核心技術(shù)原理

BeNano 180 Zeta Max 集成專利 LEDLS技術(shù)（光散射-消光聯(lián)合法），實(shí)現(xiàn)濃度與粒徑同步分析：

1. 多參數(shù)聯(lián)測：

• 動態(tài)光散射（DLS）：173°角檢測散射光，獲取粒徑分布（光強(qiáng)加權(quán)）

• 消光法：0°角檢測透射光衰減，結(jié)合米氏理論計(jì)算體積分?jǐn)?shù)

2. 技術(shù)優(yōu)勢：

• 無需甲苯校正，避免毒性試劑

• 支持寬濃度范圍（10?~1012 particles/mL）

• 單角度檢測簡化光路設(shè)計(jì)

三、實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與驗(yàn)證

樣品體系：130nm二氧化硅拋光液（折射率1.45，吸收率0.0001）
方法：

1. 理論濃度標(biāo)定：

• 烘干稱重法測得原液體積分?jǐn)?shù) 41% v/v（密度2.2g/cm3）

2. 梯度稀釋：

   稀釋倍數(shù)	理論體積分?jǐn)?shù)	理論數(shù)量濃度（particles/mL）
   100×	0.41%	3.56×1012
   1000×	0.041%	3.56×1011
   10000×	0.0041%	3.56×101?

儀器參數(shù)：

• 激光波長：671nm（50mW）

• 檢測器：173°角APD（散射光），0°角PD（透射光）

• 樣品池：一次性PS池

四、結(jié)果與討論

1. 粒徑穩(wěn)定性驗(yàn)證（表1）

2. 濃度檢測精度（圖4）

3. 適用性驗(yàn)證（圖5）

• 有效檢測區(qū)間：

• 粒徑范圍：100~400nm

• 濃度范圍：101?~1012 particles/mL

• 實(shí)測值與理論值偏差<15%，滿足半導(dǎo)體工藝控制需求

五、技術(shù)優(yōu)勢與產(chǎn)業(yè)價值

1. 突破傳統(tǒng)局限：

• 5分鐘內(nèi)同步獲得粒徑、體積分?jǐn)?shù)、數(shù)量濃度三重參數(shù)

• 非破壞性檢測，支持產(chǎn)線實(shí)時監(jiān)控

2. 半導(dǎo)體質(zhì)控應(yīng)用：

• CMP拋光液濃度在線校準(zhǔn)

• 團(tuán)聚體早期預(yù)警（濃度異常→粒徑突變）

結(jié)論

BeNano 180 Zeta Max的LEDLS技術(shù)為二氧化硅拋光液提供了快速、精準(zhǔn)、無標(biāo)樣的濃度檢測方案。該技術(shù)可有效監(jiān)控半導(dǎo)體CMP工藝中顆粒濃度與分散狀態(tài)，對提升晶圓表面質(zhì)量及良率具有重要工程價值。